多孔阀金属薄膜及其制造方法以及薄膜电容器
授权
摘要
提供一种表面积大的多孔阀金属薄膜及其制造方法、以及采用该薄膜作为阳极体的电容密度大的薄膜电容器。采用包括如下工序的制造方法制造多孔阀金属薄膜：1)制作阀金属和异相成分的粒径均位于1nm～1μm范围内并且阀金属和异相成分均匀分布的薄膜的工序；2)通过热处理调整粒径并且进行适度烧结的工序；3)除去异相部分的工序。
基本信息
专利标题 ：
多孔阀金属薄膜及其制造方法以及薄膜电容器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101351573A
申请号 ：
CN200580052451.9
公开（公告）日 ：
2009-01-21
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大迫敏行小向哲史
申请人 ：
住友金属矿山株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
高龙鑫
优先权 ：
CN200580052451.9
主分类号 ：
C23C14/58
IPC分类号 ：
C23C14/58 C23F1/18 C23F1/22 C23F1/30 H01G4/33 H01G9/00 H01G9/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/58
后处理
法律状态
2011-06-08 ：
授权
2009-03-11 ：
实质审查的生效
2009-01-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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