电容器制造方法
公开
摘要
本说明书涉及一种电容器制造方法，包括以下步骤：a)形成堆栈，该堆栈从基板的上表面起依次包括由铝或铝基合金制成的第一导电层、第一电极、第一介电层和第二电极；b)通过化学等离子体蚀刻对堆栈的上部进行蚀刻，所述化学等离子体蚀刻在第一导电层的上表面之前中断；和c)通过物理等离子体蚀刻对堆栈的下部进行蚀刻，所述物理等离子体蚀刻在第一导电层的上表面中断。
基本信息
专利标题 ：
电容器制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114630501A
申请号 ：
CN202111520468.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·布夫尼彻尔
申请人 ：
意法半导体(图尔)公司
申请人地址 ：
法国图尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
黄海鸣
优先权 ：
CN202111520468.X
主分类号 ：
H05K3/06
IPC分类号 ：
H05K3/06 H05K3/04 H01G4/30
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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