存储电容器的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种存储电容器的制造方法，包括：提供半导体衬底；形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层形成第一沟槽；形成位于第一沟槽的底部和侧壁，以及第一掩膜层上方的第二掩膜层，使得形成第二沟槽；去除第一掩膜层上方的第二掩膜层、第一掩膜层、以及位于第二沟槽的底部的第二掩膜层；依次形成第三掩膜层、第四掩膜层和第五掩膜层；对第四掩膜层和第五掩膜层研磨减薄至暴露出第二掩膜层；去除第二掩膜层和第四掩膜层，形成第三沟槽；以第三掩膜层、第四掩膜层、第五掩膜层作为阻挡层，刻蚀半导体衬底，于半导体衬底内形成第四沟槽；去除第三掩膜层、第四掩膜层和第五掩膜层；形成介质层和导电层，该方法能够降低工艺复杂度和生产成本。
基本信息
专利标题 ：
存储电容器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446782A
申请号 ：
CN202210103068.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄子伦
申请人 ：
苏州聚谦半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖路328号创意产业园21-A401-001单元
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202210103068.7
主分类号 ：
H01L21/308
IPC分类号 ：
H01L21/308 H01L21/8242 H01L49/02 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/308
应用掩膜的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/308
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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