金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
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摘要
本发明的金属化合物是用下述通式(I)表示的化合物，特别适合用作具有包括ALD法的CVD法等气化工序的薄膜制造方法的前体。通式(I)中，M表示钽或铌；R1表示碳原子数为1～4的烷基；R2和R3分别独立地表示氢原子、甲基或者乙基。
基本信息
专利标题 ：
金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101052615A
申请号 ：
CN200580037753.9
公开（公告）日 ：
2007-10-10
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
芳仲笃也樱井淳
申请人 ：
株式会社艾迪科
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈建全
优先权 ：
CN200580037753.9
主分类号 ：
C07C215/08
IPC分类号 ：
C07C215/08 C23C16/40 H01L21/285 H01L21/316 C07F9/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07C
无环或碳环化合物
C07C215/00
含连接在同一个碳架上的氨基和羟基的化合物
C07C215/02
与同一个碳架的非环碳原子连接的羟基和氨基
C07C215/04
碳架是饱和的
C07C215/06
和无环的
C07C215/08
仅有1个羟基和1个氨基与碳架连接
法律状态
2010-07-14 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2007-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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