薄膜形成装置
专利申请的视为撤回
摘要
本发明公开了一种薄膜形成装置，包括真空室，真空室中有基板和相对设置的、喷出蒸镀物质蒸气产生蒸镀物质结团粒子的蒸气发生源，使所述结团粒子部分电离的电离的装置以及提供电离的结团粒子动能向所述基板碰撞的加速装置；还具有将较小尺度电离的结团粒子去除的过滤装置。其加速装置还可以由正偏置的加速电极和相对于该加速电极成负偏置的引出电极以及接地电极构成。
基本信息
专利标题 ：
薄膜形成装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1057492A
申请号 ：
CN91104119.2
公开（公告）日 ：
1992-01-01
申请日 ：
1991-06-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
伊藤弘基
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
颜承根
优先权 ：
CN91104119.2
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
1999-08-11 ：
专利申请的视为撤回
1992-01-01 ：
公开
1991-10-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1057492A.PDF
PDF下载
