薄膜形成方法
专利权的终止
摘要
本发明提出在低温下制作硅基板与氧化硅膜的界面特性是良好的、低界面陷阱密度的优质的薄膜的薄膜形成方法。本发明是一种在真空容器内生成等离子体并发生活性种(原子团)、用该活性种和材料气体在硅基板上进行氧化硅膜的成膜的薄膜形成方法，在该方法中，在真空容器内活性种(原子团)与材料气体初次接触，对利用两者的反应进行在硅基板上的氧化硅膜形成的成膜处理空间除上述材料气体外导入包含氮原子的气体，将进行了对上述硅基板的氧化硅膜的成膜的期间内的该包含氮原子的气体的流量调整为至少在对上述硅基板的氧化硅膜的成膜开始的时刻为最大。
基本信息
专利标题 ：
薄膜形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101160645A
申请号 ：
CN200680012418.8
公开（公告）日 ：
2008-04-09
申请日 ：
2006-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野上裕汤田克久田边浩
申请人 ：
日本电气株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200680012418.8
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2015-05-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101608727478
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利号 : ZL2006800124188
申请日 : 20060314
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20140314
号牌文件序号 : 101608727478
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利号 : ZL2006800124188
申请日 : 20060314
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20140314
2009-12-09 ：
授权
2008-06-04 ：
实质审查的生效
2008-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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