形成含硅薄膜的方法
专利权的终止
摘要
描述了一种在基片表面形成含硅薄膜的方法。在该方法中，将环戊硅烷溶液填入一个槽中，使该槽的内壁表面和环戊硅烷溶液相互接触。随后，从点式UV辐射器辐照光，使光通过槽壁辐照在内壁表面一个区域附近的环戊硅烷溶液上，从而在该区域形成含硅薄膜。因此，通过减少步骤，无需通过热处理来形成含硅薄膜。
基本信息
专利标题 ：
形成含硅薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1824605A
申请号 ：
CN200610054925.X
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贝野由利子亀井隆広
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
李玲
优先权 ：
CN200610054925.X
主分类号 ：
C01B33/02
IPC分类号 ：
C01B33/02 C01B33/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
法律状态
2015-04-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101604304985
IPC(主分类) : C01B 33/02
专利号 : ZL200610054925X
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20140220
号牌文件序号 : 101604304985
IPC(主分类) : C01B 33/02
专利号 : ZL200610054925X
申请日 : 20060220
授权公告日 : 20090415
终止日期 : 20140220
2009-04-15 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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