含铜膜形成方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明提供一种利用CVD法在低温下形成低电阻的含铜膜的方法。在由有机金属原料气体和还原性气体形成的阻挡层上，使用将式(I)′表示的β－二酮基(Z表示H原子或碳原子数1～4的烷基，X表示式(I－I)表示的基团(Ra表示碳原子数1～5的直链或支链的亚烷基，Rb、Rc、Rd相互独立，分别表示碳原子数1～5的直链或支链的烷基)，Y表示式(I－I)表示的基团(Ra Rb、Rc、Rd与上述定义相同))作为配位基的式(I)(X、Y、Z与上述定义相同)表示的铜配合物，利用CVD法形成含铜膜。
基本信息
专利标题 ：
含铜膜形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044261A
申请号 ：
CN200580032568.0
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
渡部干雄座间秀昭角田巧长谷川千寻绵贯耕平
申请人 ：
株式会社爱发科;宇部兴产株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
陈昕
优先权 ：
CN200580032568.0
主分类号 ：
C23C16/18
IPC分类号 ：
C23C16/18 H01L21/3205 H01L21/285 C07F7/18
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/06
以金属材料的沉积为特征的
C23C16/18
自有机金属化合物
法律状态
2013-07-10 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101627830906
IPC(主分类) : C23C 16/18
专利号 : ZL2005800325680
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社爱发科
变更后权利人 : 株式会社爱发科
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川
变更后权利人 : 日本神奈川
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 宇部兴产株式会社
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20130619
号牌文件序号 : 101627830906
IPC(主分类) : C23C 16/18
专利号 : ZL2005800325680
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社爱发科
变更后权利人 : 株式会社爱发科
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川
变更后权利人 : 日本神奈川
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 宇部兴产株式会社
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20130619
2009-09-09 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101044261A.PDF
PDF下载
2、
CN100537837C.PDF
PDF下载
