沉积膜形成方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
沉积膜形成方法，其中通过各自独立地反应区通入形成沉积膜的气态原料和对所述原料有氧化作用的气态卤素氧化剂以便按化学反应形成沉积膜。该方法包括，在活化区预先活化可形成能带宽控制剂的气态物质(B)以形成活化体：然后将所述的活化体通入反应区以便在处于成膜区的基体上形成可控制能带宽的沉积膜。
基本信息
专利标题 ：
沉积膜形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86108874A
申请号 ：
CN86108874.3
公开（公告）日 ：
1987-09-09
申请日 ：
1986-12-25
授权号 ：
CN1015009B
授权日 ：
1991-12-04
发明人 ：
齐藤惠志广冈政昭半那纯一清水勇
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
吴大建
优先权 ：
CN86108874.3
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2003-02-12 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1992-09-02 ：
授权
1991-12-04 ：
审定
1989-05-31 ：
实质审查请求
1987-09-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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