形成沉积薄膜的方法
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种形成沉积膜的方法包括：把形成沉积膜的气态原料，对该原料具有氧化作用的气态卤素氧化剂(X)和有同样性质的至少一种气态氧型和氮型氧化剂导入反应区，使它们有效地接触以形成包括处于激发态的多种中间体，和用途这些中间体中的至少一种作为沉积膜组分的原料源以便在存在于成膜区中的基底上形成沉积膜。形成沉积膜的另一方法与上法相似，但增加了含作为价电子控制剂的要素的成分的气态原料(D)。
基本信息
专利标题 ：
形成沉积薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86107084A
申请号 ：
CN86107084.4
公开（公告）日 ：
1987-05-27
申请日 ：
1986-10-21
授权号 ：
CN1015007B
授权日 ：
1991-12-04
发明人 ：
石原俊一半那纯一清水勇
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
罗英铭
优先权 ：
CN86107084.4
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/24 C23C16/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2002-06-05 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1993-04-14 ：
专利申请的视为撤回
1992-09-02 ：
授权
1991-12-04 ：
审定
1989-03-01 ：
实质审查请求
1987-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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