薄膜的炉管沉积方法
公开
摘要
该发明公开了一种薄膜的炉管沉积方法，所述薄膜的炉管沉积方法包括：提供沉积炉管，所述炉管内的制程腔沿上下方向分为多个制程区域，多个温度控制器分别与多个制程区域一一对应以分别控制多个制程区域的温度；提供衬底，对所述衬底执行薄膜沉积工艺，控制各所述温度控制器，使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定沉积温度呈梯度逐渐递减；执行退火工艺，控制各所述温度控制器，使得从上至下方向上的各所述制程区域的设定退火温度呈梯度逐渐递增。根据本发明实施例的薄膜的炉管沉积方法，使得炉管内沉积后形成的薄膜的厚度和性能较为一致稳定，提高了产品良率。
基本信息
专利标题 ：
薄膜的炉管沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606476A
申请号 ：
CN202011394386.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄其赞
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202011394386.0
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/56 C23C16/52 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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