薄膜沉积装置
授权
摘要
本发明是一种薄膜沉积装置，其具有腔体、载台、至少一挡件与至少一遮蔽件。所述载台用以承载基板，而挡件则防止载台上的基板的背镀。所述遮蔽件与挡件直接或间接卡合，且遮蔽件高于挡件并用以遮蔽挡件，以代替挡件盛接部分未沉积于基板的靶材原子。如此，可避免靶材原子沉积于挡件并形成薄膜，进而防止受热而流动的薄膜自挡件流动到挡件与基板的接触处所造成的黏片问题。
基本信息
专利标题 ：
薄膜沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112813384A
申请号 ：
CN202110014296.2
公开（公告）日 ：
2021-05-18
申请日 ：
2021-01-06
授权号 ：
CN112813384B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
林俊成
申请人 ：
鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区洪溪南路9号A栋102
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN202110014296.2
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/50 C23C16/04 C23C16/458
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-06-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/04
申请日 : 20210106
申请日 : 20210106
2021-05-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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