薄膜材料沉积反应装置和薄膜材料沉积反应系统
授权
摘要
本实用新型公开一种薄膜材料沉积反应装置，其中，所述薄膜材料沉积反应装置包括：气体分布台，设有扩散槽，所述扩散槽的底壁设有供气孔，所述气体分布台用于对膜材表面进行原子层沉积；扩散板，设于所述扩散槽内，并与所述扩散槽的底壁围合形成扩散腔，所述扩散板开设有间隔设置的多个扩散孔，所述供气孔和多个所述扩散孔与所述扩散腔连通，至少部分所述扩散孔的孔径不同。本实用新型提出的薄膜材料沉积反应装置能够提升膜材表面沉积的原子沉积膜的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
薄膜材料沉积反应装置和薄膜材料沉积反应系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020670176.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-27
授权号 ：
CN212335285U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
李哲峰张光海
申请人 ：
深圳市原速光电科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道群辉路1号优创空间一号楼511-513
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
张婷
优先权 ：
CN202020670176.9
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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