反应装置及薄膜沉积设备
授权
摘要

本申请提供一种反应装置及薄膜沉积设备,反应装置包括反应部及连接到反应部的排出管路,反应部至少包括一个可供气体发生反应的反应室及与反应室连通的排出室,排出室包括连通至反应室的第一端及可对接排出管路的第二端,以通过排出室及排出管路将反应室内的气体排出。该排出室包括挡板,其设置于第一端以间隔反应室和排出室,挡板上开设有多个第一气孔,排出室通过第一气孔连通至反应室;以及至少一个均流板,其设置于第一端与所述第二端之间,均流板上开设有多个第二气孔;所述挡板对流体的阻力小于所述均流板对流体的阻力,以解决因排气而影响反应腔内气场的均匀性的技术问题。

基本信息
专利标题 :
反应装置及薄膜沉积设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123237397.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-22
授权号 :
CN216404592U
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
不公告发明人
申请人 :
无锡先为科技有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市新吴区行创四路7号
代理机构 :
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 :
黄威
优先权 :
CN202123237397.0
主分类号 :
C30B25/08
IPC分类号 :
C30B25/08  C30B25/14  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室;其所用材料的选择
法律状态
2022-04-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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