薄膜沉积装置
授权
摘要

本实用新型涉及一种薄膜沉积装置。薄膜沉积装置包括:基座,基座开设有第一圆形轨;载盘,用于放置待加工件;公转组件,公转组件与载盘驱动连接,用于驱动载盘沿第一圆形轨移动;自转组件,用于驱动载盘绕自身中心轴线转动;角度调节组件,角度调节组件与载盘位置可调地连接,用于调节载盘的倾斜角度。本实用新型解决了现有技术中薄膜沉积的均一性较低的问题。

基本信息
专利标题 :
薄膜沉积装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202123085764.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-12-08
授权号 :
CN216550681U
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
肖峰苏财钰张彬彬苟先华
申请人 :
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址 :
重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
唐振北
优先权 :
CN202123085764.X
主分类号 :
C23C14/50
IPC分类号 :
C23C14/50  C23C14/54  C23C16/458  C23C16/52  H01L33/44  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2022-05-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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