薄膜沉积装置

专利权的终止

摘要

公开了一种薄膜沉积装置，所述装置包括箱体、反应室和射频激励源，所述反应室置于所述箱体内部，所述箱体具有气体进入口和气体排出口，所述反应室包括金属上横梁、下横梁和与所述上横梁、下横梁连接的金属侧壁，所述上横梁和下横梁之间具有第一电极板和第二电极板，各所述第一电极板和第二电极板彼此电绝缘且等距、平行、间隔交替排列，反应气体由所述进入口进入所述第一电极板和第二电极板之间的空间，并经所述气体排出口排出箱体。本实用新型的薄膜沉积装置能够大幅度提高薄膜沉积、特别是大面积薄膜沉积的效率，并可降低沉积层之间的交叉污染。

基本信息

专利标题：

薄膜沉积装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820008274.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-03-14

授权号：

CN201183822Y

授权日：

2009-01-21

发明人：

杨与胜张迎春

申请人：

福建钧石能源有限公司

申请人地址：

362000福建省泉州市鲤城区南环路江南高新科技园区

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200820008274.5

主分类号：

C23C16/50

IPC分类号：

C23C16/50 C30B25/00 H01L31/18

相关图片

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

C23C16/44

以镀覆方法为特征的

C23C16/50

借助放电的

法律状态

2016-05-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101660278494
IPC(主分类) : C23C 16/50
专利号 : ZL2008200082745
申请日 : 20080314
授权公告日 : 20090121
终止日期 : 20150314

2011-12-28 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101248910181
IPC(主分类) : C23C 16/50
专利号 : ZL2008200082745
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京中锦阳电子科技有限公司
变更后权利人 : 北京中锦阳电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 101204 北京市平谷区马坊工业园西区277号
变更后权利人 : 101204 北京市平谷区马坊工业园西区277号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 北京精诚铂阳光电设备有限公司
登记生效日 : 20111116

2009-08-26 ：

实用新型专利公报更正

号 : 23
卷 : 25
页码 : 989
更正项目 : 专利权人
误 : 北京中绵阳电子科技有限公司
正 : 北京中锦阳电子科技有限公司

2009-08-12 ：

专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)

变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 福建钧石能源有限公司
变更后权利人 : 北京中绵阳电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 福建省泉州市鲤城区南环路江南高新科技园区,邮编 : 362000
变更后 : 北京市平谷区马坊工业园西区277号,邮编 : 101204
登记生效日 : 20090703

2009-02-11 ：

著录事项变更

变更事项 : 发明人
变更前 : 杨与胜;张迎春
变更后 : 杨与胜

2009-01-21 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN201183822Y.PDF

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