薄膜沉积设备
授权
摘要
本申请公开了一种薄膜沉积设备,该薄膜沉积设备包括:底座、位于底座上的侧壁、以及位于侧壁上与底座相对设置的上盖,底座、侧壁和上盖围成薄膜沉积设备的反应腔室,其中,薄膜沉积设备还包括位于反应腔室中的承载盘和用于提供气体的喷头,喷头位于承载盘上方,上盖上设置有与喷头相对应的多个流道,每个流道沿径向设置并具有一定的旋向,多个流道的旋向与承载盘的转动方向一致。该设计使得设备内反应腔室中的气体受流道的约束,提高了气流的稳定性,减少了气体逸散,提高原料利用率,进而提高生成薄膜的质量,降低成本。
基本信息
专利标题 :
薄膜沉积设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114086156A
申请号 :
CN202210058615.4
公开(公告)日 :
2022-02-25
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
CN114086156B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
张瑭张天明
申请人 :
北京中科重仪半导体科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区学清路科技财富中心A座3A09
代理机构 :
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 :
蔡纯
优先权 :
CN202210058615.4
主分类号 :
C23C16/455
IPC分类号 :
C23C16/455 C23C16/44 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-15 :
授权
2022-03-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-02-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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