薄膜沉积方法
专利权的终止
摘要
在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。
基本信息
专利标题 ：
薄膜沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779927A
申请号 ：
CN200510114267.4
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松泽兴明佐藤浩小宫隆行近藤英一松本贤治
申请人 ：
东京毅力科创株式会社;近藤英一
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200510114267.4
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2013-12-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101550332665
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005101142674
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20121021
号牌文件序号 : 101550332665
IPC(主分类) : H01L 21/3205
专利号 : ZL2005101142674
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20121021
2009-07-01 ：
授权
2006-07-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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