本发明提供一种金属薄膜沉积方法，包括步骤：提供待沉积的基底，对基底进行清洁后置于真空腔体内；待真空腔体内升温至预设温度后，于基底表面沉积金属薄膜；在同一真空腔体中于金属薄膜表面沉积硅薄膜，硅薄膜用于防止金属薄膜被氧化；其中，预设温度与硅薄膜沉积过程中的温度相同。本发明创造性地将金属薄膜的沉积过程置于硅薄膜的沉积温度下进行，在沉积金属薄膜之后连续性地于金属薄膜表面生成硅薄膜以对金属薄膜进行保护，在确保金属薄膜的性能的同时，可以防止金属薄膜在基底转移过程中被氧化污染，避免后续对金属薄膜的成分表征分析造成不良影响而影响到后续制程。