沉积钒金属的方法、结构、器件和沉积组件
公开
摘要
本公开涉及半导体器件的制造，具体涉及在衬底上形成钒金属的方法。该方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供钒前体，并且以气相向反应室提供还原剂，以在衬底上形成钒金属。本公开还涉及由该方法形成的结构和器件，以及沉积组件。
基本信息
专利标题 ：
沉积钒金属的方法、结构、器件和沉积组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381707A
申请号 ：
CN202111224369.7
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C.德泽拉E.J.希罗谢琦G.A.沃尼P.德明斯基
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111224369.7
主分类号 ：
C23C16/06
IPC分类号 ：
C23C16/06 C23C16/14 C23C16/18 C23C16/455 H01L21/768
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/06
以金属材料的沉积为特征的
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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