在晶片上沉积金属层的方法
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摘要
本发明公开一种在晶片上沉积金属层的方法。首先，提供一物理气相沉积(PVD)腔室，其中具有用于固定一待处理晶片的晶片座、位于所述晶片座上方的靶材、位于所述靶材的背面的磁体，以及用于提供一直流电压给所述靶材的直流电源供应，其中所述靶材是具有铁磁性的金属或金属合金。接着，对所述PVD腔室执行一粘贴配方，包括：将工作气体通入所述PVD腔室；分阶段点燃所述工作气体。接着，将所述待处理晶片载入所述PVD腔室内并将所述待处理晶片放置于所述晶片座上。随后，执行一沉积配方，使从所述靶材溅射出的金属沉积至所述待处理晶片的表面。
基本信息
专利标题 ：
在晶片上沉积金属层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112210763A
申请号 ：
CN201910623790.1
公开（公告）日 ：
2021-01-12
申请日 ：
2019-07-11
授权号 ：
CN112210763B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
郭细军陈建华朱海鹏张现磊陈旻贤杨謦宁谈文毅
申请人 ：
联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市翔安区万家春路八九九号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201910623790.1
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/14
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-01-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20190711
申请日 : 20190711
2021-01-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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