硅晶片的金属污染分析方法和硅晶片的制造方法
授权
摘要
本发明提供硅晶片的金属污染分析方法，该分析方法包括：使分析对象的硅晶片的表面与包含氟化氢气体和硝酸气体的蚀刻气体接触，由此将该硅晶片的表层区域蚀刻；使上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与从包含盐酸和硝酸的混合酸中产生的气体接触；将与从上述混合酸中产生的气体接触之后的硅晶片加热；使上述加热后的硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面与回收液接触；以及分析与上述硅晶片的通过上述蚀刻而暴露的表面接触之后的回收液中的金属成分。
基本信息
专利标题 ：
硅晶片的金属污染分析方法和硅晶片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110494734A
申请号 ：
CN201880025413.1
公开（公告）日 ：
2019-11-22
申请日 ：
2018-02-23
授权号 ：
CN110494734B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
水野泰辅
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张桂霞
优先权 ：
CN201880025413.1
主分类号 ：
G01N1/28
IPC分类号 ：
G01N1/28 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N1/00
取样；制备测试用的样品
G01N1/28
测试用样品的制备
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-12-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 1/28
申请日 : 20180223
申请日 : 20180223
2019-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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