磊晶晶片的制造方法及磊晶晶片
专利权的终止
摘要
一种制造磊晶晶片的方法，至少包含以下的步骤：在具有初期厚度的磊晶用基板的表面上，使磊晶层生长至比最后目标磊晶层的厚度更厚的步骤(D)；对前述已生长的磊晶层进行平面磨削而平坦化的步骤(G)；以及研磨经前述平面磨削后的磊晶层的步骤(H)。优选是使用TTV(表示平坦度)为2微米以下的基板作为磊晶用基板，使磊晶层生长后，进一步含有：磨削该基板的斜角部的步骤(E)和研磨该经磨削的斜角部的步骤(E)。由此，可以提供一种技术，即使具有较厚的磊晶层时，亦能够以高生产力且低成本地制造磊晶层厚度均匀性优良的磊晶晶片。
基本信息
专利标题 ：
磊晶晶片的制造方法及磊晶晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091237A
申请号 ：
CN200580045209.9
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高见泽彰一佐山隆司
申请人 ：
信越半导体股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
隆天国际知识产权代理有限公司
代理人 ：
高龙鑫
优先权 ：
CN200580045209.9
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 H01L21/205
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2013-01-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101385917897
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL2005800452099
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20111130
号牌文件序号 : 101385917897
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL2005800452099
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20090916
终止日期 : 20111130
2009-09-16 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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