高性能β-氮化硅晶晶须的制备方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种高性能β-Si3N4的制备方法，系属于陶瓷材料领域，它的主要特征是选用1∶(1.5～6)(重量比)的硅非晶氧化物∶碳粉末经机械混合后在气氛炉内烧结，通入N2(加入2-5％Ar)500ml/每分钟，反应温度在1200-1600℃，反应时间为5小时。由本发明制备的β-Si3N4晶须，其晶体结构完整，几乎无任何缺陶，具有直至1900℃的热稳定性能。本发明所提供的制备工艺成本低廉，无环境污染，耗能低，时间短，适于工业规模生产。
基本信息
专利标题 ：
高性能β-氮化硅晶晶须的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056908A
申请号 ：
CN90105134.9
公开（公告）日 ：
1991-12-11
申请日 ：
1990-05-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周延春夏非陈声崎
申请人 ：
中国科学院金属研究所
申请人地址 ：
110000辽宁省沈阳市文化路二段六号
代理机构 ：
中国科学院沈阳专利事务所
代理人 ：
闵宪智
优先权 ：
CN90105134.9
主分类号 ：
C30B29/38
IPC分类号 ：
C30B29/38 C30B29/62 C04B35/80
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/38
氮化物
法律状态
1994-01-12 ：
专利申请的视为撤回
1991-12-11 ：
公开
1991-03-06 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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