一种纳米氮化硅晶须及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种纳米氮化硅晶须及其制备方法，属于氮化硅制备技术领域。本发明提供了一种氮化硅晶须的制备方法，包括以下步骤：将四氟化硅气体与氨气进行反应，得到纳米氮化硅晶须；所述反应的温度为490℃～670℃。本发明中四氟化硅与氨气的反应温度远低于常用的氮化硅晶须制备方法中的合成温度—大于1000℃，降低了氮化硅晶须的生长速度，从而得到了直径小的氮化硅晶须。实施例的结果表明，本发明制得的纳米氮化硅晶须直径在45～110nm之间，并且本发明的氮化硅晶须材料高温力学性能优异，1000℃时的高温硬度≥29GPa、室温压缩强度≥640MPa，1000℃压缩强度≥610MPa。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米氮化硅晶须及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114507902A
申请号 ：
CN202210091067.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董洪峰卫学玲艾桃桃李文虎袁新强
申请人 ：
陕西理工大学
申请人地址 ：
陕西省汉中市汉台区东一环路1号
代理机构 ：
北京高沃律师事务所
代理人 ：
马丛
优先权 ：
CN202210091067.5
主分类号 ：
C30B29/62
IPC分类号 ：
C30B29/62 C30B29/38 C30B25/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/60
以形状为特征的
C30B29/62
晶须或针状结晶
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/62
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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