晶须补强氮化硅复合材料制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于一种碳化硅晶须补强氮化硅复合材料的制造方法，是用Si3N4、SiO2、碳黑及助烧结剂为原料，于1500～1900℃，1.1～10atmN2压力下合成SiC晶须，然后在600～700℃脱碳，脱碳后的复合原料于1700～1900℃，N2气氛下热压0.5～2小时，即可得到致密的Si3N4-SiC(w)复合材料，本发明得到的复合材料的断裂韧性为8.0MPa·m1/2常温强度为670MPa，经1300℃氧化100小时后在1300℃测得高温强度为621MPa，仅比常温强度降低了7.3％。
基本信息
专利标题 ：
晶须补强氮化硅复合材料制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052652A
申请号 ：
CN91100598.6
公开（公告）日 ：
1991-07-03
申请日 ：
1991-02-04
授权号 ：
CN1026482C
授权日 ：
1994-11-09
发明人 ：
柳光祖宋慎泰
申请人 ：
冶金工业部钢铁研究总院
申请人地址 ：
100081北京市海淀区学院南路76号
代理机构 ：
冶金专利事务所
代理人 ：
金向荣
优先权 ：
CN91100598.6
主分类号 ：
C04B35/80
IPC分类号 ：
C04B35/80 C04B35/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/71
含有宏观增强剂的陶瓷制品
C04B35/78
含非金属材料的
C04B35/80
纤维、单丝、晶须、薄片或其他类似材料
法律状态
1998-11-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-11-09 ：
授权
1991-07-03 ：
公开
1991-06-12 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1026482C.PDF
PDF下载
2、
CN1052652A.PDF
PDF下载
