碳化硅晶须增强陶瓷复合材料及其制造方法
专利申请的视为撤回
摘要

使用双峰分布的“粗”和“细”的亚微米级、单晶碳化硅晶须增强陶瓷材料与使用相等数量的粗或细晶须相比在切削性能方面有所提高。粗晶须的平均直径范围从0.5到小于1.0微米,细晶须的平均直径范围从0.1到小于0.5微米。这种双峰分布的晶须在所形成的晶须增强陶瓷复合材料中占体积的5-40%。所形成的材料用作切削刀具。

基本信息
专利标题 :
碳化硅晶须增强陶瓷复合材料及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1053603A
申请号 :
CN90110427.2
公开(公告)日 :
1991-08-07
申请日 :
1990-12-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
阿历山大·J·派齐克
申请人 :
唐化学原料公司
申请人地址 :
美国密歇根州
代理机构 :
中国专利代理有限公司
代理人 :
杨厚昌
优先权 :
CN90110427.2
主分类号 :
C04B35/80
IPC分类号 :
C04B35/80  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C04
水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料
C04B
石灰;氧化镁;矿渣;水泥;其组合物,例如:砂浆、混凝土或类似的建筑材料;人造石;陶瓷;耐火材料;天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品;陶瓷组合物;准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/71
含有宏观增强剂的陶瓷制品
C04B35/78
含非金属材料的
C04B35/80
纤维、单丝、晶须、薄片或其他类似材料
法律状态
1993-09-08 :
专利申请的视为撤回
1991-08-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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