高性能α相碳化硅晶须的制造方法
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摘要
本发明涉及2H相碳化硅(分子式为SiC)晶须的制造方法，这是一种碳化硅的单晶体的、短纤维状的无机材料，主要用于高温陶瓷的增强增韧剂，也可用于补强金属和塑料，属于以陶瓷为主的复合材料领域、本发明用含硅化合物为原料，将原料混合物放在石墨坩埚容器内，加热至一定温度，高温下含硅化合物分解产物和石墨蒸发产物于保护气氛中，在生长容器上化合、堆积从而形成2H相碳化硅晶须。用这种晶须增韧的陶瓷，将具有更高的断裂韧性和强度以及高的耐磨性能，可做切削刀具，以及作为陶瓷发动机及其它机械零部件。
基本信息
专利标题 ：
高性能α相碳化硅晶须的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1053271A
申请号 ：
CN90110010.2
公开（公告）日 ：
1991-07-24
申请日 ：
1990-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李建保黄勇王林陈少荣吴建光彭刚
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
100084北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
罗文群
优先权 ：
CN90110010.2
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B29/62 C04B35/80
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
1991-07-24 ：
公开
1991-07-03 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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