无缺陷氮化硅晶须的制备
专利申请的撤回
摘要
本发明涉及一种制备无缺陷氮化硅的方法，属陶瓷材料技术领域。本发明是用四氯化硅为硅源，氨气为氮源，二者在室温下，在氧化铝反应管中进行反应。然后把反应管放在高温炉中加热，并逐渐升温至1100℃以上。产物氨基化物脱氨后生成氮化硅超细粉。最后升温至1400℃～1480℃，保温1—3小时，得到氮化硅晶须。用本发明制备“无缺陷”氮化硅晶须，生成温度低，产率高。
基本信息
专利标题 ：
无缺陷氮化硅晶须的制备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1092825A
申请号 ：
CN93120036.9
公开（公告）日 ：
1994-09-28
申请日 ：
1993-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张克鋐袁正朱凯培莫艳邓宗武
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
100084北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
罗文群
优先权 ：
CN93120036.9
主分类号 ：
C30B29/62
IPC分类号 ：
C30B29/62 C30B29/38
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/60
以形状为特征的
C30B29/62
晶须或针状结晶
法律状态
1997-05-21 ：
专利申请的撤回
1994-09-28 ：
公开
1994-09-21 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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