具有结晶晶界相的自增强氮化硅陶瓷及制备方法
专利申请的视为撤回
摘要
说明书公开了一种高断裂韧性和高强度的充分致密的，自增强的氮化硅陶瓷体，该陶瓷体包括(a)平均纵横比为至少2.5的晶须形式的β-氮化硅，以及(b)一种氮氧化合物磷灰石结构的结晶态晶界相(用X射线结晶学测得)。一种制备上述的氮化硅陶瓷体的工艺，该工艺包括热压一种粉末混合物，该粉末混合物包括氮化硅，氧化硅，一种致密助剂，转化助剂及一种可加强β-氮化硅晶须生长的化合物，在这样的工艺条件下产生了致密化、高纵横比的β-氮化硅晶须，然后退火充分长的时间，以产生具有氮氧化合物磷灰石结构的结晶态晶界相。
基本信息
专利标题 ：
具有结晶晶界相的自增强氮化硅陶瓷及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1064261A
申请号 ：
CN92101118.0
公开（公告）日 ：
1992-09-09
申请日 ：
1992-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·J·黄A·J·皮兹克
申请人 ：
陶氏化学公司
申请人地址 ：
美国密执安
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
徐汝巽
优先权 ：
CN92101118.0
主分类号 ：
C04B35/58
IPC分类号 ：
C04B35/58 C04B35/80
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
法律状态
1995-02-15 ：
专利申请的视为撤回
1992-09-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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