一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料及其制备
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，该材料按重量百分比由以下原料制成：SrCO3 60～69％，TiO2 30～38％，添加剂0.2～3％；其中，所述添加剂为ZnO、CaCO3、CuO、La2O3、Li2CO3、B2O3、SiO2和Bi2O3中的一种或多种组合。本发明还涉及该材料的制备方法以及利用该材料制作的单层陶瓷电容器。本发明的所述单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料，不含镉和铅等重金属，具有对环境污染少，介电常数高等优点。
基本信息
专利标题 ：
一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料及其制备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334444A
申请号 ：
CN202111668230.1
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
葛鸿钊葛培盛杨春根程艳萍袁镇安
申请人 ：
广东芯晟电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省肇庆市鼎湖区桂城街道第一社区顺景路201号1栋5楼车间
代理机构 ：
广州骏思知识产权代理有限公司
代理人 ：
潘慧馨
优先权 ：
CN202111668230.1
主分类号 ：
H01G4/12
IPC分类号 ：
H01G4/12 C04B35/47 C04B35/622 C04B41/00 C04B41/51 C04B41/88
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01G 4/12
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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