细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料
专利权的终止
摘要
本发明公开了属于电容器材料技术领域的一种细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。该材料包括固溶体主料Bam(Ti1－xZrx)O3和A组分、B组分组成的添加剂。其中A组分为Ba、Ca、Mn等金属氧化物及前驱体；B组分为稀土元素的氧化物及这些氧化物的前驱体。在还原气氛中在1150～1300℃之间进行烧结，晶粒尺寸0.5～3μm，室温介电常数7600～23300，室温介电损耗小于1％，绝缘电阻率大于1011Q·cm；采用该介质材料制成的贱金属内电极多层陶瓷片式电容器，介质层流延厚度小于10μm，烧结温度在1150～1300℃之间，温度特性满足Y5V要求，介质层晶粒的平均粒径小于1μm，击穿场强达到80kV/mm以上。该材料适用于薄层、大容量贱金属内电极多层陶瓷片式电容器的制造，具有广阔的发展前景。
基本信息
专利标题 ：
细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801417A
申请号 ：
CN200510130476.8
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王晓慧陈雷李龙土桂治轮
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
100084北京市100084－82信箱
代理机构 ：
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 ：
李光松
优先权 ：
CN200510130476.8
主分类号 ：
H01G4/12
IPC分类号 ：
H01G4/12 H01B3/12 C04B35/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/002
零部件
H01G4/018
电介质
H01G4/06
固体电介质
H01G4/08
无机电介质
H01G4/12
陶瓷电介质
法律状态
2018-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01G 4/12
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20171213
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20090701
终止日期 : 20171213
2009-07-01 ：
授权
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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