用无压或低压气体烧结法制备的致密自增强氮化硅陶瓷
专利申请的视为撤回
摘要
由无压烧结或低压气体烧结制备的致密的自增强氮化硅陶瓷，其组成包括(a)氮化硅，其中至少有20％是高平均纵横比的β—氮化硅形式；(b)2—10％(重量)的玻璃态晶界相，含氧化镁、氧化钇、二氧化硅、氧化锆，并且还可含选自氧化钙、氧化镓、氧化铟和氧化铪的一种氧化物；(c)氧化锆第二结晶相，其量为0.5—5.0％(重量)；(d)金属硅化锆和/或金属氮化硅锆的结晶相，其总量为0.1—3.0％(重量)。该陶瓷呈现高断裂韧性和高断裂强度，密度至少为理论值的98％。
基本信息
专利标题 ：
用无压或低压气体烧结法制备的致密自增强氮化硅陶瓷
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1064260A
申请号 ：
CN92101117.2
公开（公告）日 ：
1992-09-09
申请日 ：
1992-02-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·J·皮兹克
申请人 ：
陶氏化学公司
申请人地址 ：
美国密执安
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
徐汝巽
优先权 ：
CN92101117.2
主分类号 ：
C04B35/58
IPC分类号 ：
C04B35/58 C04B35/64
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
法律状态
1995-06-28 ：
专利申请的视为撤回
1992-09-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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