高致密氮化硅反应烧结体的制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于氮化硅陶瓷制备方法，它集中反应烧结法、重烧结法及气氛加压法的优点于一体，制备高致密氮化硅陶瓷。首先将硅粉或硅粉与氮化硅粉混合物和添加物混和后制成压块，在压块上涂以Si3N4、BN和SiO2组成的泥浆后，在1100-1500℃于Ar、H2、N2混合气体中氮化，混合气体压力为0.01-30大气压，保温结束后继续升温到1800-2100℃，保温0.5-10小时，炉内压力为5-100大气压。本制备方法具有快速、高致密特点，同时不需要使用高纯超细的硅粉或氮化硅粉末，制品尺寸精度高，加工余量小，适用于复杂形状部件的制造。
基本信息
专利标题 ：
高致密氮化硅反应烧结体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037132A
申请号 ：
CN88105512.3
公开（公告）日 ：
1989-11-15
申请日 ：
1988-04-21
授权号 ：
CN1026314C
授权日 ：
1994-10-26
发明人 ：
庄汉锐李文兰华道权邬凤英符锡仁严东生
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
潘振苏
优先权 ：
CN88105512.3
主分类号 ：
C04B35/58
IPC分类号 ：
C04B35/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
法律状态
1997-06-11 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-10-26 ：
授权
1989-11-15 ：
公开
1988-10-26 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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