氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基...
授权
摘要
本发明提供一种大型氮化硅烧结基板及其制造方法。该氮化硅烧结基板具有比1边为120mm的正方形更大的形状的主面(101a)，主面(101a)的中央部的密度dc与端部的密度de的比dc/de为0.98以上，主面(101a)的中央部的空隙率vc为1.80％以下，端部的空隙率ve为1.00％以下。优选上述中央部的密度dc为3.120g/cm3以上，上述端部的密度de为3.160g/cm3以上，上述中央部的空隙率vc与上述端部的空隙率ve的比ve/vc为0.50以上。
基本信息
专利标题 ：
氮化硅烧结基板、氮化硅烧结基板片、回路基板和氮化硅烧结基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108495831A
申请号 ：
CN201780008097.2
公开（公告）日 ：
2018-09-04
申请日 ：
2017-03-24
授权号 ：
CN108495831B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
今村寿之藤田卓加贺洋一郎手岛博幸滨吉繁幸
申请人 ：
日立金属株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京尚诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN201780008097.2
主分类号 ：
C04B35/587
IPC分类号 ：
C04B35/587 C04B35/64 H05K1/03
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
C04B35/584
以氮化硅为基料的
C04B35/587
精细陶瓷
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-03-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/587
申请日 : 20170324
申请日 : 20170324
2018-09-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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