氮化硅工程陶瓷烧结新工艺
被视为撤回的申请
摘要
一种生产氮化硅工程陶瓷的烧结新工艺。其特征是以超纯N2代替普通液N2，取消了原有的N2气精制系统和相应设备，同时，又在研究了3Si+2N2→Si3N4+173Kal这一放热反应的反应速度基础上，掌握了反应速度和温度，反应率之间的关系，实现了对反应情况的控制。新生产工艺和原工艺相比，其优点在于可使原设备生产能力提高一倍以上；节电50％，节省大量N2气，H2气和氩气，消除了流硅现象，提高成品率，降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
氮化硅工程陶瓷烧结新工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100384A
申请号 ：
CN86100384
公开（公告）日 ：
1986-07-16
申请日 ：
1986-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李克永李育民陈国桓赵忠祥吴文林
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
天津市南开区七里台
代理机构 ：
天津大学专利代理事务所
代理人 ：
贾庭勋
优先权 ：
CN86100384
主分类号 ：
C04B35/58
IPC分类号 ：
C04B35/58
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
法律状态
1989-08-23 ：
被视为撤回的申请
1986-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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