一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法
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摘要
本发明涉及一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法，包括：以总配料质量100%计，将氮化硅粉体95～70%、烧结助剂5～30%均匀混合，得到陶瓷混合粉体，所述烧结助剂是以TiO2为主烧结助剂，以Y2O3、Sc2O3、Sm2O3、Lu2O3、Er2O3、MgO、Mg2Si、MgSiN2中的至少一种为辅烧结助剂的混合物；将所得的陶瓷混合粉体成型，得到陶瓷素坯；将所得的陶瓷素坯置于1600～1800℃下常压烧结，得到致密氮化硅陶瓷。本发明能够得到致密、具有一定热导率水平，且力学性能优异的氮化硅陶瓷。
基本信息
专利标题 ：
一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109305816A
申请号 ：
CN201710623307.0
公开（公告）日 ：
2019-02-05
申请日 ：
2017-07-27
授权号 ：
CN109305816B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张景贤段于森李晓光
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区定西路1295号
代理机构 ：
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹芳玲
优先权 ：
CN201710623307.0
主分类号 ：
C04B35/584
IPC分类号 ：
C04B35/584 C04B35/64
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
C04B35/584
以氮化硅为基料的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-01-12 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : C04B 35/584
登记生效日 : 20201230
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中国科学院上海硅酸盐研究所
变更后权利人 : 浙江多面体新材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区定西路1295号
变更后权利人 : 313023 浙江省湖州市吴兴区埭溪镇上强工业功能区创强路2号1栋
登记生效日 : 20201230
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中国科学院上海硅酸盐研究所
变更后权利人 : 浙江多面体新材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区定西路1295号
变更后权利人 : 313023 浙江省湖州市吴兴区埭溪镇上强工业功能区创强路2号1栋
2019-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/584
申请日 : 20170727
申请日 : 20170727
2019-02-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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