一种制备高热导率氮化硅陶瓷的方法
授权
摘要
本发明涉及一种制备高热导率氮化硅陶瓷的方法，包括：将α‑Si3N4粉体和烧结助剂混合均匀，压制成型制得坯体；将所述坯体在惰性气氛下于1780℃～1950℃进行气压烧结，然后冷却至室温，得到所述氮化硅陶瓷；所述烧结助剂由硅化物和碱土金属氧化物组成，所述α‑Si3N4粉体与所述烧结助剂的比例为（90mol%:10mol%）～（99mol%:1mol%）。
基本信息
专利标题 ：
一种制备高热导率氮化硅陶瓷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109851369A
申请号 ：
CN201910067010.X
公开（公告）日 ：
2019-06-07
申请日 ：
2019-01-24
授权号 ：
CN109851369B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
曾宇平王为得左开慧夏咏锋姚冬旭尹金伟梁汉琴
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区定西路1295号
代理机构 ：
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹芳玲
优先权 ：
CN201910067010.X
主分类号 ：
C04B35/584
IPC分类号 ：
C04B35/584 C04B35/645
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
C04B35/584
以氮化硅为基料的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2022-01-25 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : C04B 35/584
登记生效日 : 20220113
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中国科学院上海硅酸盐研究所
变更后权利人 : 江西中科上宇科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区定西路1295号
变更后权利人 : 333032 江西省景德镇市昌南新区加速基地
登记生效日 : 20220113
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 中国科学院上海硅酸盐研究所
变更后权利人 : 江西中科上宇科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 200050 上海市长宁区定西路1295号
变更后权利人 : 333032 江西省景德镇市昌南新区加速基地
2019-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/584
申请日 : 20190124
申请日 : 20190124
2019-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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