功率器件模块用覆铜氮化硅基板
授权
摘要
本实用新型公开了功率器件模块用覆铜氮化硅基板，涉及氮化硅基板技术领域。功率器件模块用覆铜氮化硅基板，包括氮化硅陶瓷基板，所述氮化硅陶瓷基板上覆接有复合层，复合层表面上形成有多个凹孔，复合层上表面覆接有覆铜膜层，覆铜膜层上叠加有铜板层，铜板层和覆铜膜层之间设有结合层，所述结合层依次包括氧化物层、致密层和亲和层，氧化物层、致密层和亲和层依次叠加，所述氧化物层为Al2O3薄膜层。本实用新型使得敷铜层的致密性大大增加，复合层和覆铜膜层紧密贴合，进而有效地改善覆铜氮化硅基板中铜和氮化硅陶瓷基板间的结合强度较差的问题，致密层中含有致密相，能有效抑制Cu‑O共晶液相向氮化硅陶瓷基板方向渗透，防止气泡的产生。
基本信息
专利标题 ：
功率器件模块用覆铜氮化硅基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123179372.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
CN216435878U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
曾开有郑长裕蓝桂兰
申请人 ：
漳州瑞沃电子科技有限公司
申请人地址 ：
福建省漳州市漳浦县赤湖镇五金园区
代理机构 ：
泉州市宽胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈巧莹
优先权 ：
CN202123179372.X
主分类号 ：
H01L23/14
IPC分类号 ：
H01L23/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
H01L23/14
按其材料或它的电性能区分的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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