基板的制造方法
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摘要

本发明公开了一种基板的制造方法。该基板制造方法包括:提供一个上下侧具有内层线路的芯板;在芯板处形成一容置空间;在容置空间中埋入一元件,并形成绝缘层以包覆元件、芯板及其上下侧的内层线路;在绝缘层处形成复数个孔洞,以裸露出元件的复数个电极;形成复数个通孔(Through Hole),以贯穿绝缘层与芯板;在绝缘层表面和通孔的侧壁上形成导电薄膜;在导电薄膜上形成导电层;图案化导电层以形成外层线路;以及在外层线路上形成防焊层。

基本信息
专利标题 :
基板的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101038880A
申请号 :
CN200610057443.X
公开(公告)日 :
2007-09-19
申请日 :
2006-03-15
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王永辉洪清富
申请人 :
日月光半导体制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾高雄市
代理机构 :
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 :
梁挥
优先权 :
CN200610057443.X
主分类号 :
H01L21/48
IPC分类号 :
H01L21/48  H01L21/60  H05K3/00  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法,在器件组装之前制造或处理部件,例如容器
法律状态
2009-02-04 :
授权
2007-11-14 :
实质审查的生效
2007-09-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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