石墨基板及其制造方法

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摘要

本公开提供了一种石墨基板及其制造方法，属于半导体技术领域。所述石墨基板的第一表面上具有多圈用于容纳衬底的凹槽，所述多圈凹槽均与所述石墨基板同轴，每圈所述凹槽均包括多个凹槽；所述石墨基板还包括沿所述石墨基板的径向设置在所述石墨基板的第一表面上的多个凸起结构，所述多个凸起结构位于所述多圈凹槽中的多个所述凹槽之间，且从所述石墨基板的中心至所述石墨基板的边缘方向，所述凸起结构的高度逐渐升高。在本公开提供的石墨基板上生长外延片，可以使得外延片各个区域的发光波长一致，从而可以提高外延片的片内均匀性，保证边缘良率。

基本信息

专利标题：

石墨基板及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113279056A

申请号：

CN202110347549.8

公开（公告）日：

2021-08-20

申请日：

2021-03-31

授权号：

CN113279056B

授权日：

2022-04-15

发明人：

葛永晖梅劲刘春杨丁涛陈张笑雄王慧

申请人：

华灿光电（浙江）有限公司

申请人地址：

浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司

代理人：

吕耀萍

优先权：

CN202110347549.8

主分类号：

C30B25/14

IPC分类号：

C30B25/14 C30B25/18 C23C16/458 C23C16/455 H01J37/32