本公开提供了一种提高外延片波长均匀性的石墨基板及其制造方法，属于半导体技术领域。所述石墨基板为圆盘，所述石墨基板的第一表面上具有用于容纳外延片的多个圆形槽，所述多个圆形槽的圆心位于至少两个第一同心圆上，所述石墨基板的第一表面上还具有多个圆形凹坑，所述多个圆形凹坑的圆心位于至少一个第二同心圆上，所述至少一个第二同心圆和所述至少两个第一同心圆的圆心重合，且所述第一同心圆和所述第二同心圆交替设置。该石墨基板可以降低流至石墨基板边缘的Mo源气流的流速，改善石墨基板边缘离心力大、Mo源流速过快的问题，进而可以改善在石墨基板上生长的外延片外圈边缘波长偏短或偏长的问题，使得外延片各个区域的发光波长一致。