多波长VCSEL阵列和制造方法
公开
摘要
制造垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列以产生多个波长。在基板上形成第一分布式布拉格反射器(DBR)，并且在所述第一DBR上形成具有有源区域的光学层。所述光学层具有被配置来生成多个波长的光学特性的变化。为此，在所述第一DBR上形成所述层的第一部分。然后在所述第一部分的表面上形成不同的设定尺寸的特征部(轮廓、阱、沟槽、格栅等)。随后，通过填充所述第一部分的表面上的所述设定尺寸的特征部来形成所述层的第二部分。最后，在所述层的所述第二部分上形成第二DBR。所述光学特性的变化可包括折射率的变化、物理厚度的变化或两者的变化。可照常处理组件以产生具有多个发射器的VCSEL阵列。
基本信息
专利标题 ：
多波长VCSEL阵列和制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114498298A
申请号 ：
CN202111299401.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安托万·菲利普·皮西叶夫根耶·齐比克
申请人 ：
II-VI特拉华有限公司
申请人地址 ：
美国特拉华州
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭浩
优先权 ：
CN202111299401.8
主分类号 ：
H01S5/183
IPC分类号 ：
H01S5/183 H01S5/42
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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