宽谱多波长法布里-珀罗激光器及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种宽谱多波长法布里‑珀罗激光器，其中第一量子阱有源层和第二量子阱有源层采用对接生长方式处于同层，采用腐蚀部分接触层的方式实现两段量子阱的电流注入隔离。本发明专利针对单一量子阱结构FP激光器谱宽较窄，波长通道数少的问题，采用对接生长两种不同带隙量子阱的方式，增大FP激光器的增益带宽，实现大谱宽多波长通道输出，相比于背景技术中采用量子阱混杂的方式，能够避免快速退火导致的多量子阱材料的性能劣化；且对接端面采用倾斜端面设计，降低对接端面的反射率。
基本信息
专利标题 ：
宽谱多波长法布里-珀罗激光器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112542769A
申请号 ：
CN202011468660.4
公开（公告）日 ：
2021-03-23
申请日 ：
2020-10-20
授权号 ：
CN112542769B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
朱尧王任凡
申请人 ：
武汉敏芯半导体股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地（一期）1栋3层02室03号
代理机构 ：
北京云嘉湃富知识产权代理有限公司
代理人 ：
李思霖
优先权 ：
CN202011468660.4
主分类号 ：
H01S5/34
IPC分类号 ：
H01S5/34 H01S5/343
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-04-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/34
申请日 : 20201020
申请日 : 20201020
2021-03-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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