本发明公开了一种适用于双层梁结构的法布里珀罗加速度敏感芯片加工方法，包括以下步骤：首先在SOI晶圆的器件层刻蚀键合定位槽，完成后交替沉积氧化硅和氮化硅薄膜，并图形化形成增反膜；之后利用剥离工艺制作铝掩蔽，并采用深反应离子刻蚀技术刻蚀释放弹簧支撑梁的背腔；然后将两片经过上述步骤加工后的SOI晶圆进行键合，并利用刻蚀释放质量块结构；接着湿法腐蚀玻璃晶圆制作法布里珀罗腔的腔体，完成后在腔体表面沉积氧化硅和氮化硅多层增反膜；最后将弹簧质量结构与玻璃腔体进行小片胶合键合。本发明提供的方法可以完成基于双层全对称弹簧质量结构的法布里珀罗MEMS加速度敏感芯片的加工，并且具有加工精度高、工艺简单、成品率高的优势。