本发明公开了一种一体化法布里珀罗MEMS加速度敏感芯片加工方法，包括以下步骤：首先湿法腐蚀制作腔体深度参考槽，以该槽为参考在硅晶圆刻蚀腔体，并在腔体表面重复交替沉积氧化硅和氮化硅薄膜制作光学增反膜；然后在玻璃晶圆表面重复交替沉积氧化硅和氮化硅薄膜，并图形化形成光学增反膜；之后将硅和玻璃晶圆进行阳极键合，并将硅片减薄至目标厚度；最后采用深反应离子刻蚀技术释放弹簧质量结构。本发明可以避免现有技术先刻蚀后键合存在残余应力导致敏感芯片变形或损坏的问题，具有工艺简单、成品率高的优势；此外，得益于腔体深度参考槽步骤，可以保证制作的敏感芯片工作在高灵敏度状态。