晶体基板的制造方法以及晶体基板
授权
摘要
本发明涉及晶体基板的制造方法以及晶体基板，提供一种能够提高由III族氮化物构成的晶体基板的面内的偏离角均匀性的新型技术。晶体基板的制造方法具有如下工序：准备第1结晶体的工序，所述第1结晶体是由利用气相法制作的III族氮化物的单晶形成且具有第1主面的基板，单晶的c面以规定的曲率弯曲成凹球面状；以及，在第1主面上，使由III族氮化物的单晶形成的第2结晶体在包含碱金属和III族元素的混合熔体中生长的工序。
基本信息
专利标题 ：
晶体基板的制造方法以及晶体基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110306241A
申请号 ：
CN201910204487.8
公开（公告）日 ：
2019-10-08
申请日 ：
2019-03-18
授权号 ：
CN110306241B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
吉田丈洋柴田真佐知皿山正二佐藤隆三好直哉村上明繁
申请人 ：
赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请人地址 ：
日本茨城县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201910204487.8
主分类号 ：
C30B29/40
IPC分类号 ：
C30B29/40 C30B25/18 C30B19/02 C30B19/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/40
AⅢBv化合物
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-01-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/40
申请日 : 20190318
申请日 : 20190318
2019-10-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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