双极异质结晶体管及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
按照本发明研制的双极异质结晶体管其发射极形成层基本上由掺杂的和氢化的半导体材料组成，并且至少局部形成非晶的结构。由于发射极材料的能带较宽，可获得大的电流增益β。发射极形成层最好由掺杂的和氢化的微晶硅组成，能提供小的基极电阻适宜在高频下使用。用CVD技术，用等离子体或者用光分解法可以形成非晶双极异质结晶体管，用上述任一方法或用加热非晶发射极层的方法，可制作具有微晶发射极层的晶体管。
基本信息
专利标题 ：
双极异质结晶体管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108634A
申请号 ：
CN85108634.9
公开（公告）日 ：
1986-07-30
申请日 ：
1985-09-29
授权号 ：
CN1003831B
授权日 ：
1989-04-05
发明人 ：
格翰纳姆·莫斯塔法·耶黑亚默坦斯·罗伯特尼斯·约翰
申请人 ：
英特大学微电子中心
申请人地址 ：
比利时勒芬-黑沃利3030
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘晖
优先权 ：
CN85108634.9
主分类号 ：
H01L29/04
IPC分类号 ：
H01L29/04 H01L29/72 H01L21/205
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法律状态
1995-11-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-11-08 ：
授权
1989-04-05 ：
审定
1986-07-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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