异质接面双极性晶体管
授权
摘要
本实用新型为提供一种异质接面双极性晶体管，包含基板、半导体单元、电极单元，及介电层。所述半导体单元形成于所述基板上，具有自所述基板表面向上形成的集极层、基极层，及射极层。所述电极单元具有设置于所述集极层的集极金属层、设置于所述基极层的基极金属层，及设置于所述射极层的射极金属层。所述介电层覆盖所述射极层，并定义出开口，所述基极金属层经由所述开口与所述基极层相接触，并延伸覆盖至少部分与所述开口相邻的所述介电层。借此，在提高所述基极金属层的高度时，同时精确控制基极金属层的宽度，以有效提高异质接面双极性晶体管的输出频率。
基本信息
专利标题 ：
异质接面双极性晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920809627.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-31
授权号 ：
CN209785942U
授权日 ：
2019-12-13
发明人 ：
祁幼铭黄国钧谢坤穆邱宇宸
申请人 ：
宏捷科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台南市
代理机构 ：
北京泰吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
张雅军
优先权 ：
CN201920809627.X
主分类号 ：
H01L29/737
IPC分类号 ：
H01L29/737 H01L29/423 H01L29/417
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法律状态
2019-12-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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