双极性晶体管及相关的制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了包括具有基本相同高度的发射极端子和基极端子的双极性晶体管及其制造方法。双极性晶体管包括形成于作为集电极的半导体层上并作为基极的硅－锗层。双极性晶体管还包括具有用于发射极端子和集电极端子的接触窗口的绝缘层。通过形成填充接触窗口的多晶硅层且在多晶硅层上执行平面化工艺来形成发射极和集电极端子。执行离子注入工艺来形成多晶硅发射极端子和多晶硅基极端子。
基本信息
专利标题 ：
双极性晶体管及相关的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828929A
申请号 ：
CN200610006071.8
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐永大梁奉吉
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610006071.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/72 H01L21/331
相关图片
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的驳回
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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